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WPM2301-3/TR
P沟道 耐压:20V 电流:2.7A
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- 描述
- WPM2301采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，还能提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换应用。标准产品WPM2301为无铅产品
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM2301-3/TR
- 商品编号
- C2939853
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
JMT N和P沟道增强型MOSFET
商品特性
- N沟道：30V、9A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 21mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 33mΩ
- P沟道：-30V、-7A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 54mΩ
- 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理
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