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F4N65
N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- F4N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- F4N65
- 商品编号
- C2935477
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
F4N65是一款高压功率MOSFET,采用先进的沟槽MOSFET设计,具备更优特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 2.6 Ω @ VGS = 10V,ID = 2.0A
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高耐用性
应用领域
-开关电源和适配器的高速开关应用