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4N65L-Q-TMS-T
N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- UTC 4N65-Q 是一款高压功率 MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于高速开关应用，包括电源、PWM 电机控制、高效 AC - DC 转换器和桥接电路。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N65L-Q-TMS-T
- 商品编号
- C2935493
- 商品封装
- TO-251S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
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