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3N80L-TN3-R
N沟道,电流:3.0A,耐压:800V
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- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 3N80L-TN3-R
- 商品编号
- C2935498
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.512克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
商品概述
LPM9017 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- -30V/-4A，RDS(ON)<58mΩ（典型值）@VGS~~- 10V
- -30V/-3.0A，RDS(ON)<68mΩ（典型值）@VGS~~- 4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- SOT23 封装
应用领域
- 便携式媒体播放器-蜂窝和智能手机-液晶显示器-数码相机传感器-无线网卡