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10N65L-ML-TF1-T
N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 10N65-ML是一款高压功率MOSFET，它采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更出色的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 10N65L-ML-TF1-T
- 商品编号
- C2935490
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.512克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 124pF |
商品概述
这些器件是基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh™ V功率MOSFET，该技术与意法半导体著名的PowerMESHTM横向布局结构相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在基于硅的功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- RDS(ON) \leq 1.0Ω @ VGS = 10V, ID = 5.0A
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力,高抗扰性
应用领域
- 开关应用