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20N70L-TF1-T
N沟道 耐压:700V 电流:20A
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- 描述
- UTC 20N70-HCQ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 UTC 先进技术，为客户提供理想的导通电阻 RDS(ON)、高开关速度、高电流承载能力和低栅极电荷。UTC 20N70-HCQ 广泛应用于低电压领域，如汽车、AC/DC 转换器的高效开关以及直流电机控制等。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 20N70L-TF1-T
- 商品编号
- C2935491
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
V4N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 0.6 Ω @ VGS = 10V,ID = 10A
- 高开关速度
应用领域
-汽车-AC/DC转换器的高效开关-直流电机控制