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20N70L-TF1-T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

20N70L-TF1-T

N沟道 耐压:700V 电流:20A

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描述
UTC 20N70-HCQ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,采用 UTC 先进技术,为客户提供理想的导通电阻 RDS(ON)、高开关速度、高电流承载能力和低栅极电荷。UTC 20N70-HCQ 广泛应用于低电压领域,如汽车、AC/DC 转换器的高效开关以及直流电机控制等。
品牌名称
UTC(友顺)
商品型号
20N70L-TF1-T
商品编号
C2935491
商品封装
TO-220F1​
包装方式
管装
商品毛重
2.52克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)240pF

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