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D5N65
N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- D5N65是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- D5N65
- 商品编号
- C2935480
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
TDM2618采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 13.7mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 次级侧同步整流-DC-DC转换器-电机控制-负载开关
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