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D7N65
N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- D7N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- D7N65
- 商品编号
- C2935479
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
UTC 10N65-ML是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 5.0A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 1.0Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高抗扰性