TSX3702IQ2T
低功耗双CMOS电压比较器
- 描述
- 微功耗(5uA)16V CMOS双路比较器,推挽输出
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- TSX3702IQ2T
- 商品编号
- C2935134
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 10pA | |
| 滞后电压(Vhys) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | 85dB | |
| 输出类型 | 推挽 | |
| 输出模式 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
TSX3702是一款微功耗CMOS双电压比较器,每个比较器的典型电流消耗极低,仅为5 μA。该器件是TS3702的改进版:它的电流消耗更低,输入失调电压更优,且静电放电(ESD)耐受性更强。TSX3702在很宽的温度范围内都有完整的规格说明,SO8封装的产品提供汽车级版本。它与TS3702 CMOS比较器完全兼容,且提供相似的封装形式。TSX3702还提供新型小型封装(MiniSO8和2x2 mm的DFN8),从而能在应用中实现更高的集成度。
商品特性
- 低电源电流:每个比较器典型值为5 μA
- 宽单电源范围2.7 V至16 V或双电源(±1.35 V至±8 V)
- 极低的输入偏置电流:典型值为1 pA
- 输入共模电压范围包含地
- 推挽输出
- 高输入阻抗:典型值为10^12 Ω
- 快速响应时间:对于5 mV过驱动,典型值为2.7 μs
- ESD耐受性:人体模型(HBM)4 kV,机器模型(MM)200 V
应用领域
- 汽车领域
- 工业领域
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 3000 个)个
起订量:3000 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
