温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TWS6604FL
1个N沟道 耐压:65V 电流:54A 停产
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15.2A 功率(Pd)：42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,5A
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- TWS6604FL
- 商品编号
- C2903535
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.364nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 602pF |
商品概述
MSK20P80GNF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(on)、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -18V ID = -80A
- RDS(ON) <3 mΩ VGS- 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源