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MS50N02
50N02 MS50 1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V，ID = 90A。 RDS(ON)，6mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的散热封装。应用：负载开关。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS50N02
- 商品编号
- C2902879
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |