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MS50N02
50N02 MS50 1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V，ID = 90A。 RDS(ON)，6mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。 出色的散热封装。应用：负载开关。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS50N02
- 商品编号
- C2902879
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可减少额外元件的使用并提高系统可靠性。TOLL封装采用4引脚开尔文源极配置，降低了寄生源极电感，从而提升了热性能和开关性能。TOLL封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 70 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 79 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 682 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 开尔文源极配置和低寄生源极电感
- 通过MSL1认证
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能