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MS80N03
N沟道 MOSFET,电流:80A,耐压:30V
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- 描述
- 特性：VDS = 30V, ID = 80A。 RDS(ON), 3.5mΩ (Typ) @ VGS = 10V。 RDS(ON), 7mΩ (Typ) @ VGS = 4.5V。 低导通电阻。 低栅极电荷。 快速开关。应用：DC-DC转换器。 同步整流器
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS80N03
- 商品编号
- C2902881
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.442克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V；7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.963nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 248pF |
商品概述
MS30N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 80 A
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)],在栅源电压(VGS) = 10 V 时为 3.5 mΩ(典型值)
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)],在栅源电压(VGS) = 4.5 V 时为 7 mΩ(典型值)
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 快速开关
- 低反向传输电容
应用领域
-直流-直流转换器-同步整流器