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MSK3419DF
1个P沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V, 6mΩ@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.0V至-2.5V@250uA，3419A
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSK3419DF
- 商品编号
- C2902915
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 100V、15A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 75mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 网络-负载开关-LED应用