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MSK30N03DF
30N03 1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- MSK30N03DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSK30N03DF
- 商品编号
- C2902918
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）和优值（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）和优值（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 快速开关和软恢复
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 100% 漏源电压变化（▽VDS）测试
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源