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MSK30P02DF
1个P沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- MSK30P02DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSK30P02DF
- 商品编号
- C2902922
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 便携式应用负载开关-DC/DC 转换器
商品特性
- VDS = 20 V
- ID = 5.5 A
- 当 VGS = 10 V 时，RDS(ON) 典型值为 25 mΩ
- 当 VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) 典型值为 27 mΩ
- 当 VGS = 2.5 V 时，RDS(ON) 典型值为 34 mΩ
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