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MSK20P80GNF
20P80G CCJ3 P沟道,电流:-80A,耐压:-18V
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- 描述
- MSK20P80GNF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSK20P80GNF
- 商品编号
- C2902924
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
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