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MSK50P03NF
P沟道 MOSFET,电流:-50A,耐压:-30V
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- 描述
- MSK50P03NF采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSK50P03NF
- 商品编号
- C2902919
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 30V、80A，在VGS = 10V时RDS(ON) = 3.6mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 提供环保器件
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载点应用
- 开关电源2二次侧同步整流