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MS60N03
N沟道,电流:60A,耐压:30V
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- 描述
- 60N03 MS60
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS60N03
- 商品编号
- C2902880
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.447克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 198pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 大电流负载应用
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源