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NIV1241MTWTAG

单向ESD 23.5V截止

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描述: NIV1241旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响，以及防止数据线与汽车电池发生短路。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案，而低导通电阻（RDS(on)）的场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。直通式封装便于进行印刷电路板（PCB）布局，并能实现匹配的走线长度，这对于维持诸如USB和低压差分信号（LVDS）协议等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NIV1241MTWTAG
商品编号: C2902290
商品封装: WDFNW-6(2x2.2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.48克(g)

商品参数

商品概述

NIV1241旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响，以及防止数据线与汽车电池发生短路。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案，而低导通电阻（RDS(on)）的场效应晶体管（FET）可限制信号线上的失真。直通式封装便于进行印刷电路板（PCB）布局，并能实现匹配的走线长度，这对于维持诸如USB和低压差分信号（LVDS）协议等高速差分线之间的恒定阻抗至关重要。

商品特性

低电容（典型值0.55 pF，I/O到地）
符合以下标准的保护：IEC 61000 - 4 - 2（4级）和ISO 10605
集成MOSFET：具备电池短路阻断、USB VBUS短路阻断功能
可焊侧翼器件，便于进行自动光学检测（AOI）
NIV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

应用领域

汽车高速信号对
USB 2.0
LVDS

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	23.5V
	钳位电压	43V
	击穿电压	24V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	500nA
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.55pF