LTC8552XS8/R8
零漂移、微功耗、1.5MHz、轨到轨输入输出运算放大器
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- 描述
- 放大器通过采用专利的快速阶跃响应斩波稳定技术,为极低的失调和漂移提供输入失调电压校正。该方法不断测量和补偿输入失调,消除了随时间和温度的漂移以及 1/f 噪声的影响。这种设计突破允许在仅汲取 125μA 电源电流的情况下,实现 1.5MHz 的增益带宽积和 12V/μs 的高压摆率。这些器件具有单位增益稳定性,并具有良好的电源抑制比 (PSRR) 和共模抑制比 (CMRR)
- 品牌名称
- Linearin(先积集成)
- 商品型号
- LTC8552XS8/R8
- 商品编号
- C2888142
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.103克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 精密运放 | |
| 增益带宽积(GBP) | 1.5MHz | |
| 输入失调电压(Vos) | 2uV | |
| 共模抑制比(CMRR) | 130dB | |
| 压摆率(SR) | 1.2V/us | |
| 输出电流 | 40mA | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 5nV/℃ | |
| 静态电流(Iq) | 125uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1V~2.75V;-2.75V~-1V | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V | |
| 噪声密度(eN) | 19nV/√Hz@1kHz | |
| 输入失调电流(Ios) | 700pA |
商品概述
LTC855x系列放大器采用获得专利的快速阶跃响应斩波稳定技术,可对输入失调电压进行校正,实现极低的失调和漂移。该方法持续测量并补偿输入失调,消除了随时间和温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。这一设计突破使得该放大器在仅消耗125 μA电源电流的情况下,实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率。这些器件具有单位增益稳定性,并且具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。 LTC855x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用,这类应用不能容忍误差源,即使在需要高带宽和快速转换的情况下也是如此。轨到轨输入和输出摆幅使高端和低端检测变得轻松。LTC855x系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作,适用于双节电池应用。 LTC855x运算放大器增强了电磁干扰(EMI)保护功能,可最大程度减少来自外部源的任何电磁干扰,并且具备高静电放电(ESD)保护(5 kV HBM)。所有型号均在 -40 °C至 +125 °C的扩展工业温度范围内进行了规格定义。
商品特性
- 高直流精度:
- ±8 μV(最大值)失调电压(VOS),漂移为 ±40 nV/°C(最大值)
- 开环电压增益(VOL):112 dB(最小值,VDD = 5.5 V)
- 电源抑制比(PSRR):112 dB(最小值,VDD = 5.5 V)
- 共模抑制比(CMRR):112 dB(最小值,VDD = 5.5 V)
- 输入电压噪声(Vn):0.45 μVPP(典型值,f = 0.1至10 Hz)
- 1.5 MHz带宽和1.2 V/μs压摆率
- 1 V阶跃下达到0.1%的建立时间:1.2 μs
- 达到0.1%的过载恢复时间:35 μs
- 每放大器微功耗125 μA,1.8 V至5.5 V宽电源电压范围
- 工作温度范围:-40 °C至 +125 °C
应用领域
- 精密电流检测
- 电阻热探测器
- 温度、位置和压力传感器
- 医疗设备
- 电子秤
- 应变计放大器
- 热电偶放大器
- 驱动模数转换器(A/D)
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交29单
