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XJNG2103

200V、1A半桥驱动器

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描述: XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V
品牌名称: NCE(无锡新洁能)
商品型号: XJNG2103
商品编号: C2887735
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.16克(g)

商品参数

商品概述

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，其工作电压最高可达200V。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计
可在高达+200V的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为6V至18V
与3.3V输入逻辑兼容
典型输出源/灌电流能力为1A/1A

应用领域

开关模式电源（SMPS）
中小功率电机驱动器
功率MOSFET驱动器
半桥/全桥功率转换器
任何互补驱动转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	9V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	40ns
	传播延迟 tpLH	150ns
	传播延迟 tpHL	140ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	160uA