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HYG042N10NS1P
N沟道增强型MOSFET,电流:160A,耐压:100V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG042N10NS1P
- 商品编号
- C2874949
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.506nF |
商品概述
FDMA905P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在不同栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用及多种其他应用。
商品特性
- 100V/160A
- RDS(ON) = 3.5mΩ(典型值),VGS = 10V时
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 功率开关应用
- DC-DC转换器