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HYG011N04LS1TA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG011N04LS1TA

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:320A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:40V/320A,RDS(ON)=0.9 mΩ(典型值)@VGS = 10V,RDS(ON)=1.3 mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤器件(符合RoHS标准)。应用:开关应用。 逆变器系统的电源管理
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG011N04LS1TA
商品编号
C2874971
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
1.26克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)320A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)92nC@10V
输入电容(Ciss)5.87nF
反向传输电容(Crss)63pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 60V/145A
  • RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值),VGS = 10V
  • RDS(ON) = 4.1 mΩ(典型值),VGS = 4.5V
  • 100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 有无铅器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 高频负载点同步降压转换器
  • 电动工具应用

数据手册PDF