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MEM2402K3G实物图
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MEM2402K3G

1个N沟道 耐压:60V 电流:15A

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描述
MEM2402将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以实现极低的RDS(ON)。这些器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品型号
MEM2402K3G
商品编号
C2875119
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.49克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)23W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.5nC
输入电容(Ciss)778pF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)66pF

数据手册PDF

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