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HT75NF75ATZ
N沟道,电流:80A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：RDS(on) (Max 0.011 Ω) @ Vgs = 10V。 栅极电荷 (典型值 80 nC)。 最大结温范围 (175 °C)
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT75NF75ATZ
- 商品编号
- C2874955
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 173W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.22nF |
商品概述
IRFR5305是P沟道增强型功率效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用电源管理DC-DC转换器。
商品特性
- 漏源导通电阻(RDS(on))(最大值 0.011 Ω)@栅源电压(VGS) = 10 V
- 栅极电荷(典型值 80 nC)
- 最大结温范围(175 °C)
应用领域
- 电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
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