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HYG015N04LS1C2
单N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- 40V/150A。RDS(ON)=1.4mΩ（典型值）（VGS = 10V）。RDS(ON)=2.0mΩ（典型值）（VGS = 4.5V）
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG015N04LS1C2
- 商品编号
- C2874970
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GL3401K采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。封装形式为SOT - 23，符合RoHS标准。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 55 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通状态漏源电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的优质封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源