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HT65NF06ASZ
1个N沟道 耐压:60V 电流:65A
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- 描述
- 特性：RDS(on) (Max 0.015 Ω)@VGS=10V。 栅极电荷 (典型值 25nC)。 最大结温范围 (175℃)
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT65NF06ASZ
- 商品编号
- C2874951
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.365nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
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