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HYG025N04NA1D
1个N沟道 耐压:40V 电流:125A
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- 描述
- 特性：40V/125A，RDS(ON) = 2.5mΩ (typ.) @VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用：负载开关-锂电池保护板
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG025N04NA1D
- 商品编号
- C2874950
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.526克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 122.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.625nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 569pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 774pF |
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