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HT55NF06ASZ
HT55NF06ASZ
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- 描述
- N沟道 MOSFET： RDS(on) (Max 0.018 Ω)@VGS=10V
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT55NF06ASZ
- 商品编号
- C2874953
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 漏源导通电阻 [RDS(on)]（最大值0.018 Ω）@栅源电压（VGS） = 10 V
- 栅极电荷（典型值25 nC）
- 最大结温范围（175 °C）