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UCC5350MCQDRQ1

单通道隔离式栅极驱动器，适用于SiC/IGBT器件和汽车应用

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描述: UCC5350-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 5A 最小峰值拉电流和 5A 最小峰值灌电流，专为驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计。UCC5350-Q1 具有米勒钳位或分离输出选项。CLAMP 引脚除了可将晶体管栅极连接到输出端之外，还用于将栅极连接到内部 FET，以防止米勒电流造成假接通。借助分离输出选项，可以使用 OUTH 和 OUTL 引脚单独控制栅极电压的上升和下降时间。UCC5350-Q1 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm 宽体 SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离栅使用寿命超过 40 年。UCC5350-Q1 非常适用于在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动 IGBT 或 MOSFET。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC5350MCQDRQ1
商品编号: C2871500
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1139克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	3000
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~15V
	拉电流(IOH)	10A
	灌电流(IOL)	10A
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

UCC5350-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 5A 最小峰值拉电流和 5A 最小峰值灌电流，专为驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计。UCC5350-Q1 具有米勒钳位或分离输出选项。CLAMP 引脚除了可将晶体管栅极连接到输出端之外，还用于将栅极连接到内部 FET，以防止米勒电流造成假接通。借助分离输出选项，可以使用 OUTH 和 OUTL 引脚单独控制栅极电压的上升和下降时间。 UCC5350-Q1 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm 宽体 SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离栅使用寿命超过 40 年。UCC5350-Q1 非常适用于在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动 IGBT 或 MOSFET。

商品特性

5kVRMS 和 3kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
温度等级 1
HBM ESD 分类等级 H2
CDM ESD 分类等级 C6
特性选项：分离输出，8V UVLO (UCC5350SB-Q1)；米勒钳位，12V UVLO (UCC5350MC-Q1)
±5A 最小峰值电流驱动强度
3V 至 15V 输入电源电压
驱动器电源电压高达 33V
8V 和 12V UVLO 选项
100V/ns 最小 CMTI
输入引脚具有负 5V 电压处理能力
100ns（最大值）的传播延迟和 <25ns 的器件间延迟
8 引脚 DWV（8.5mm 爬电）和 D（4mm 爬电）封装
隔离栅寿命 >40 年
安全相关认证：符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
CMOS 输入
工作结温： -40°C 至 +150°C

应用领域

车载充电器
适用于电动汽车的牵引逆变器
直流充电站
HVAC
加热器

	属性	参数值
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	22ns
	传播延迟 tpLH	100ns
	传播延迟 tpHL	100ns
	静态电流(Iq)	2.4mA
	CMTI(kV/us)	100kV/us
	驱动侧工作电压	13.2V~33V