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UCC21710QDWQ1
具有高级保护功能和高CMTI且适用于SiC/IGBT的单通道隔离式栅极驱动器
- 描述
- 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有过流保护的汽车类 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21710QDWQ1
- 商品编号
- C2873239
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | SiC、IGBT | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 上升时间(tr) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| CMTI(kV/us) | - | |
| 驱动侧工作电压 | - | |
| 功能特性 | 饱和故障检测；米勒钳位保护 |
商品概述
UCC21710-Q1是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达1700V的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达1.5kV RMS的工作电压、12.8kV PK的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过40年，并提供较低的器件间偏移和高CMTI。
商品特性
- 单通道SiC/IGBT隔离式栅极驱动器
- 具有符合面向汽车标准（计划的认证）
- 高达1700V的SiC MOSFET和IGBT
- 33V最大输出驱动电压(VDD - COM)
- 高峰值驱动电流和高CMTI
- 有源米勒钳位
- RDY上的UVLO（具有电源正常指示功能）
- 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
- 工作温度范围：-40°C至125°C
- 安全相关认证（计划）：
- 符合DIN V VDE V 0884 - 11 (VDE V 0884 - 11):2017 - 01标准的8000V PK V₁₀TM和2121V₁₀RM增强型隔离
- 符合UL1577标准、长达1分钟的5700VRMS隔离
应用领域
- 适用于EV的牵引逆变器
- 车载充电器和直流充电站
- 工业电机驱动
- 服务器、电信和工业电源
- 不间断电源(UPS)