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UCC5870QDWJRQ1

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描述: UCC5870-Q1器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动电动汽车（EV）/混合动力汽车（HEV）应用中的高功率碳化硅（SiC）MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。功率晶体管保护功能，如基于分流电阻的过流保护、基于负温度系数（NTC）热敏电阻的过温保护和退饱和（DESAT）检测，在出现这些故障时可选择软关断或两级关断。为进一步减小应用尺寸，UCC5870-Q1在开关过程中集成了一个4A有源密勒钳位电路，并在驱动器无电源时提供有源栅极下拉功能。集成的10位模数转换器（ADC）可监控多达六个模拟输入和栅极驱动器温度，以增强系统管理能力。集成了诊断和检测功能，以简化符合汽车安全完整性等级D（ASIL-D）的系统设计。这些功能的参数和阈值可通过串行外设接口（SPI）进行配置，使该器件几乎可与任何SiC MOSFET或IGBT配合使用。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC5870QDWJRQ1
商品编号: C2873577
商品封装: SSOP-36
包装方式: 编带
商品毛重: 1.703448克(g)

商品参数

商品概述

UCC5870-Q1器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动电动汽车（EV）/混合动力汽车（HEV）应用中的高功率碳化硅（SiC）MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。功率晶体管保护功能，如基于分流电阻的过流保护、基于负温度系数（NTC）热敏电阻的过温保护和退饱和（DESAT）检测，在出现这些故障时可选择软关断或两级关断。为进一步减小应用尺寸，UCC5870-Q1在开关过程中集成了一个4A有源密勒钳位电路，并在驱动器无电源时提供有源栅极下拉功能。集成的10位模数转换器（ADC）可监控多达六个模拟输入和栅极驱动器温度，以增强系统管理能力。集成了诊断和检测功能，以简化符合汽车安全完整性等级D（ASIL-D）的系统设计。这些功能的参数和阈值可通过串行外设接口（SPI）进行配置，使该器件几乎可与任何SiC MOSFET或IGBT配合使用。

商品特性

分离式输出驱动器提供30A峰值源电流和30A峰值灌电流
可“动态”调节栅极驱动强度
互锁和直通保护，传播延迟最大150ns，且具有可编程的最小脉冲抑制功能
支持初级侧和次级侧有源短路（ASC）保护
可配置的功率晶体管保护：基于DESAT的短路保护；基于分流电阻的过流和短路保护；基于NTC的过温保护；功率晶体管故障时可编程软关断（STO）和两级关断（2LTOFF）
符合功能安全标准：专为功能安全应用开发；提供有助于ISO 26262系统设计达到ASIL D级的文档
集成诊断功能：保护比较器的内置自测试（BIST）；N+至晶体管栅极路径完整性检测；功率晶体管阈值监控；内部时钟监控
故障报警（nFLT1）和警告（nFLT2）输出
集成4A有源密勒钳位电路，或可选择为密勒钳位晶体管提供外部驱动
先进的高压钳位控制
内部和外部电源欠压和过压保护
电源电压低或输入浮空时，输出有源下拉且默认输出低电平
驱动器管芯温度感应和过温保护
在共模电压（VCM）为1000V时，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为100kV/μs
基于SPI的器件重新配置、验证、监控和诊断功能
集成10位ADC，用于监控功率晶体管的温度、电压和电流
安全相关认证：按照UL1577标准，具备3750VRMS一分钟隔离能力（计划中）
通过AEC-Q100认证，结果如下：器件温度等级0：环境工作温度范围为-40℃至125℃
器件人体模型（HBM）静电放电（ESD）分类等级为2级
器件带电器件模型（CDM）ESD分类等级为C4b级

应用领域

混合动力汽车和电动汽车牵引逆变器
混合动力汽车和电动汽车功率模块

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	驱动配置	半桥
	隔离电压(Vrms)	3750
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1

	属性	参数值
	输入侧工作电压	3V~5.5V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	CMTI(kV/us)	100kV/us
	驱动侧工作电压	15V~30V