UCC21736QDWQ1

UCC21736-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高级保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21736-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移、大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。 UCC21736-Q1 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为）和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障事件期间强制打开电源开关，从而进一步提高驱动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。

• 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
• 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
• ±10A 驱动强度和分离输出
• 150V/ns 最小 CMTI
• 具有 200ns 快速响应时间的过流保护
• 外部有源米勒钳位
• 发生故障时的 900mA 软关断
• 隔离侧的 ASC 输入，用于在系统故障期间打开电源开关
• 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
• 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
• 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
• RDY 上的 12V VDD UVLO 和 3V VEE UVLO（具有电源正常指示功能）
• 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
• 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
• SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 >8mm
• 工作结温范围： -40°C 至 +150°C

• 适用于 EV 的牵引逆变器
• 车载充电器和充电桩
• 用于 HEV/EV 的直流/直流转换器