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FDMC86570L
1个N沟道 耐压:60V 电流:84A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86570L
- 商品编号
- C324983
- 商品封装
- Power(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.705nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 18 A时，最大rDS(on) = 4.3 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 15 A时，最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- 具备极低rDS(on)的高性能技术
- 引脚无铅
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换