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DMP21D5UFB4-7B
1个P沟道 耐压:20V 电流:700mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP21D5UFB4-7B
- 商品编号
- C324984
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 950mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 46.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压 VGS(TH),最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装
- 超低封装高度,最大封装高度0.4mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
应用领域
- DC - DC转换器
- 电源管理功能
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