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LPM3401B3F
1个P沟道 耐压:15V 电流:4A
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- 描述
- LPM3401是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM3401B3F
- 商品编号
- C324571
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
LPM3401是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 15V / -4.0A，VGS = -10V时，RDS(ON) < 58mΩ（典型值）
- 15V / -3.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 68mΩ（典型值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- SOT23封装
应用领域
- 便携式媒体播放器/MP3播放器-蜂窝手机和智能手机-LCD-数码相机传感器-无线网卡