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PTP4N65
N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 特性：RDS(on)（典型值 2.6Ω）@VGS = 10V。 改善的 dv/dt 能力，高耐用性。 100% 雪崩测试。 最大结温范围（150℃）
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PTP4N65
- 商品编号
- C2843733
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品概述
2316采用沟槽处理技术设计，可实现极低的导通电阻，具备快速开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种DC-DC应用的高效可靠器件。
商品特性
- 当VGS = 4.5V时，Ron（典型值） = 50mΩ
- 当VGS = 10V时，Ron（典型值） = 44mΩ
- 低导通电阻
- 工作温度达150°C
- 快速开关
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理