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PTD4080B
N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 特性：RDS(on)（典型值5.5mΩ）@VGS = 10V。 改善的dv/dt能力。 高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围(150℃)
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PTD4080B
- 商品编号
- C2843744
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.456克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -50℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
商品概述
BPM0405CG采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于多种应用。
商品特性
- 漏源导通电阻(RDS(on))(典型值5.5 mΩ)@栅源电压(VGS)=10V
- 改善的电压变化率(dv/dt)能力,高耐用性
- 100%雪崩测试
- 最大结温范围(150°C)
- TO-252封装
应用领域
- H桥
- 逆变器