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TPM1012ER3
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V, b = 0.8A。RDS(ON) < 250mΩ @ VGS = 4.5V。RDS(ON) < 300mΩ @ VGS = 2.5V。ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM1012ER3
- 商品编号
- C2830303
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。
商品特性
- 100A、200V，最大导通电阻RDS(on)=25mΩ（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷（典型值70nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- 高功率逆变器-切割机