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DMG1013T
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.55A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V, ID = -0.5A。 RDS(ON) < 610mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 920mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- DMG1013T
- 商品编号
- C2830306
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 920mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)）HDMOST™ 工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关（UIS）额定值
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度