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TPAO5401EL
P沟道增强型MOSFET 耐压:20V 电流:0.6A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V, ID = -0.6A。 RDS(ON) < 550mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 880mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPAO5401EL
- 商品编号
- C2830308
- 商品封装
- SOT-523-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 880mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
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