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HYG035N06LS1D
单N沟道,电流:150A,耐压:65V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG035N06LS1D
- 商品编号
- C2763403
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.687nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流电源系统而设计。
商品特性
- 65V/150A
- 栅源电压(VGS)为10V时,导通电阻(RDS(ON))典型值为3.5mΩ
- 栅源电压(VGS)为4.5V时,导通电阻(RDS(ON))典型值为5.3mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件
应用领域
-负载开关-电动工具电机驱动