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HYG013N03LS1C2
N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 30V RDS(ON)=1.3mΩ（典型值），VGS=10V；RDS(ON)=2.0mΩ（典型值），VGS=4.5V。经过100%雪崩测试
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG013N03LS1C2
- 商品编号
- C2763405
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.7nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 773pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |