我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
HYG050N13NS1B实物图
  • HYG050N13NS1B商品缩略图
  • HYG050N13NS1B商品缩略图
  • HYG050N13NS1B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG050N13NS1B

HYG050N13NS1B

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG050N13NS1B
商品编号
C2763413
商品封装
TO-263-2​
包装方式
编带
商品毛重
1.66克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)135V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)165nC@10V
输入电容(Ciss)11.687nF
反向传输电容(Crss)176pF
类型N沟道
输出电容(Coss)905pF

商品概述

GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术,实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化,以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用量身定制,以满足最高效率标准。

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))和品质因数(FOM)
  • 极低的开关损耗
  • 出色的稳定性和一致性

应用领域

  • 电脑电源
  • LED照明
  • 电信电源
  • 服务器电源
  • 电动汽车充电器
  • 太阳能/不间断电源(UPS)

数据手册PDF