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HYG032N08NS1B

N沟道增强型MOSFET,电流:180A,耐压:80V

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品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HYG032N08NS1B
商品编号: C2763416
商品封装: TO-263-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.7克(g)

商品参数

商品概述

GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD），以最大限度地缩短反向恢复时间。它适用于谐振开关拓扑，以实现更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。

商品特性

低RDS(ON)和品质因数
极低的开关损耗
出色的稳定性和一致性
超快且耐用的体二极管

应用领域

电脑电源-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	180A
	导通电阻(RDS(on))	3.4mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	220.6W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	118nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.52nF
	反向传输电容(Crss)	148pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.64nF