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HYG023N03LR1C2
1个N沟道 耐压:30V 电流:125A
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- 描述
- 30V/125A。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.1mΩ（典型值）
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG023N03LR1C2
- 商品编号
- C2763417
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 462pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 561pF |
商品概述
这些器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最苛刻的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（Coss）特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用