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HYG025P03LQ1B
P沟道增强型MOSFET,电流:-190A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG025P03LQ1B
- 商品编号
- C2763415
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.314nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.254nF |
商品特性
- -30V/-190A
- 栅源电压(VGS)为 -10V 时,漏源导通电阻(RDS(ON))典型值为 2.3 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V 时,漏源导通电阻(RDS(ON))典型值为 3.6 mΩ
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理
- 电机控制
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