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HYG190P13NA1B
P沟道增强型MOSFET,电流:-72A,耐压:-125V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG190P13NA1B
- 商品编号
- C2763412
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.348nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 572pF |
商品特性
- -125V/-72A
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 18 mΩ(典型值),栅源电压VGS = -10 V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统