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HYG190P13NA1B实物图
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HYG190P13NA1B

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:125V 电流:72A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 品牌名称HUAYI(华羿微)
  • 商品型号

    HYG190P13NA1B
  • 商品编号

    C2763412
  • 商品封装

    TO-263-2
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    1.66克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)125V
连续漏极电流(Id)72A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,30A
功率(Pd)230W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)160nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)8.348nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)430pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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