温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG045P06LA1B
P沟道增强型MOSFET,电流:-160A,耐压:-60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG045P06LA1B
- 商品编号
- C2763411
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 319nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.993nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 444pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品概述
SOT-23 塑封封装的 P 沟道 MOS 场效应管。P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package.
商品特性
- -60V/-160A
- 栅源电压(VGS)为 -10V 时,漏源导通电阻(RDS(ON))典型值为 3.9mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V 时,漏源导通电阻(RDS(ON))典型值为 4.6mΩ
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
-DC/DC 转换器电源管理-负载开关