温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ME50N06A-G
N沟道 耐压:60V 电流:35.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流-直流转换器电路
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME50N06A-G
- 商品编号
- C2693566
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低导通电阻（Rdson）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 增强的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
- 低栅极电荷
- 低导通电阻（Rdson）
- 开关速度快
- 产品全部经过雪崩测试
- 高抗dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高功率DC/DC转换器和开关模式电源
- 直流电机控制
- 汽车应用
- 不间断电源
- 高功率DC/DC转换与功率开关
- 直流电机控制
- 汽车应用
- 不间断电源